氣氛對(duì)硅鉬棒的影響

氣氛對(duì)硅鉬棒的影響1、二硅化鉬電熱元件（硅鉬棒）是一種以二硅化鉬為基礎(chǔ)制成的電阻發(fā)熱元件，其在氧化氣氛下高溫使用，表面?；?，生成一層光亮致密的石英（SiO2）玻璃膜，能保護(hù)硅鉬棒不再氧化，因此硅鉬棒元件具有*的高溫抗氧化性。在氧化氣氛下，元件zui高使用溫度為1800℃，根據(jù)用戶需求可制成棒狀，U型、W型、U型直角等形狀。硅鉬棒通?？墒褂玫臓t體溫度為1300℃-1800℃，廣泛應(yīng)用于冶金、玻璃、陶瓷、磁性材料、耐火材料、晶體、電子元器件、窯爐制造等領(lǐng)域、工業(yè)高溫爐的加熱元件,...

氣氛對(duì)硅碳棒的影響

氣氛對(duì)硅碳棒的影響硅碳棒為非金屬電熱元件,是用高純度綠色六方碳化硅為主要原料,按一定料比加工制坯,經(jīng)2200℃高溫硅化再結(jié)晶燒結(jié)而制成的棒狀非金屬高溫電熱元件.正常使用溫度可達(dá)1450℃,合理使用條件下,連續(xù)使用超過2000小時(shí),在空氣中使用,不需要任何保護(hù)氣氛.硅碳棒用途:由于硅碳棒使用溫度高,具有耐高溫、抗氧化,耐腐蝕、升溫快、壽命長(zhǎng)、高溫變形小、安裝維修方便等特點(diǎn)。有良好的化學(xué)穩(wěn)定性。若與自動(dòng)化供電系統(tǒng)配套,既可得到的恒定溫度,又可根據(jù)生產(chǎn)工藝的實(shí)際需要按曲線自動(dòng)調(diào)溫。...

CVD（Chemical Vapor Deposition, 化學(xué)氣相淀積）

CVD試驗(yàn)CVD（ChemicalVaporDeposition,化學(xué)氣相淀積），指把含有構(gòu)成薄膜元素的氣態(tài)反應(yīng)劑或液態(tài)反應(yīng)劑的蒸氣及反應(yīng)所需其它氣體引入反應(yīng)室，在襯底表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成薄膜的過程。在超大規(guī)模集成電路中很多薄膜都是采用CVD方法制備。經(jīng)過CVD處理后，表面處理膜密著性約提高30%，防止高強(qiáng)力鋼的彎曲，拉伸等成形時(shí)產(chǎn)生的刮痕。CVD特點(diǎn)：淀積溫度低，薄膜成份易控，膜厚與淀積時(shí)間成正比，均勻性，重復(fù)性好，臺(tái)階覆蓋性優(yōu)良。

真空熱處理爐的節(jié)能技術(shù)

真空熱處理爐的節(jié)能技術(shù)空熱處理爐是一種先進(jìn)的熱處理設(shè)備可以進(jìn)行金屬材料和工件的真空加熱、淬火、回火、退火、滲碳、滲氮、加壓氣淬等各種熱處理，也可進(jìn)行粉未冶金燒結(jié)、航空航天工件釬焊等，真空熱處理過程能使被處理材料和工件性能顯著提高，材料得到充分利用。**因而，廣義上真空爐是一種明顯節(jié)省單位能的先進(jìn)的熱處理設(shè)備。選用適當(dāng)?shù)臓t爐室內(nèi)加熱元件和隔熱材料，對(duì)于減少爐子本身能耗、提高加熱效率是有重要意義的。加熱元件一般情況可采用鎳鉻合金或鐵鉻合金，工兒溫度要求1000℃以上時(shí)，應(yīng)采用鉬、...

感應(yīng)加熱技術(shù)的多種應(yīng)用

感應(yīng)加熱技術(shù)的多種應(yīng)用感應(yīng)加熱是利用電磁感應(yīng)的方法使被加熱的材料（即工件）的內(nèi)部產(chǎn)生電流，依靠這些渦流的能量達(dá)到加熱目的。感應(yīng)加熱系統(tǒng)的基本組成包括感應(yīng)線圈、交流電源和工件。根據(jù)加熱對(duì)象不同，可以把線圈制作成不同的外形。線圈和電源相連，電源為線圈提供交變電流，流過線圈的交變電流產(chǎn)生一個(gè)通過工件的交變磁場(chǎng)，該磁場(chǎng)使工件產(chǎn)生渦流來加熱。感應(yīng)加熱是伴隨著汽車工業(yè)和拖拉機(jī)工業(yè)的誕生而起步的。由于其具有加熱效率高、速度快、可控性好及易于實(shí)現(xiàn)機(jī)械化和自動(dòng)化等優(yōu)點(diǎn)。目前常用的zui有效的熱...